自1958年世界上第一塊集成電路成功研制至今已60余年 。在此期間，半導體行業發生了日新月異的變化，從最初的單個晶體管、電阻、電容到功能強大的集成電路—芯片（IC）。芯片由半導體材料與帶功能模塊的電路組成。各類半導體材料是生產功率器件與集成電路的基石，第一代半導體以硅（Si）、鍺（Ge）為代表；第二代半導體以砷化鎵（GaAs）等化合物為代表；第三代半導體以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導體為代表。隨著半導體材料的不斷發展革新，對如何高效率、高質量加工各類半導體材料也不斷提出更高的要求。

目前，半導體芯片所加工的方式主要以金剛石劃片刀切割為主流。深圳西斯特結合多年在半導體領域的實績與加工經驗，此次在本文著重介紹劃片刀本身對加工產品的影響。

劃片刀一般由合成樹脂、銅、錫、鎳等作為結合劑與人造金剛石結合而成，主要分為帶輪轂型（硬刀）及不帶輪轂整體型（軟刀）兩大類，適用于加工不同類型材質的芯片及半導體相關材料。在加工產品時，劃片刀是如何進行自我再生的呢？一是金剛石顆粒在與產品撞擊下，顆粒會斷裂，重新形成鋒利的棱角，保障其鋒利性；二是在切割時原包裹金剛石顆粒的結合劑不斷磨耗，在作用力的驅使下，金剛石顆粒脫落，露出下面新的顆粒，使其保障刀片的鋒利。

上述的也就是磨具的自銳性，刀片的自銳性是會由金剛石自身品級特性及結合劑體系的不同產生差異性。

1）大顆粒：一是刀口大、移除的碎屑多、產品不容易硅粉堆積沉淀；二是與結合劑的接觸面大、可承受阻力大、加工效率高、不易磨耗；三是與產品接觸范圍大、產生的碎屑及崩缺大、切割品質差。

2）小顆粒：一是與產品接觸范圍小、產生的碎屑及崩缺小甚至無崩缺；二是刀口小、移除的碎屑少、產品易硅粉沉積；三是與結合劑的接觸面小、可承受阻力小、加工效率低、易磨耗。

1） 高強度結合劑：一是韌性強、不易斷刀、使用率高；二是耐磨性強、刀片再生能力弱、產品品質差；三是阻力大、進給速度慢、效率低。

2） 低強度結合劑：一是阻力小、進給速度快、效率高；二是易磨耗、刀片再生能力強、產品品質好；三是韌性弱、易斷刀、使用率低。

1）高集中度：一是刀口多、移除的碎屑多、產品不易硅粉殘留；二是鉆石顆粒負載小、切割阻力小、進度速度快、效率高；三是產品刀口小、產生的碎屑小、易沖洗、品質有保障；四是結合劑少、刀片韌性低、易斷刀、劃傷產品風險。

2）低集中度：一是結合劑多、刀片韌性高、不易斷刀；二是刀口少、移除的碎屑少、易硅粉殘留；三是鉆石顆粒負載大、切割阻力大、進度速度慢、效率低。

1） 刀片厚：一是刀片震動小、產品品質有保障；二是刀片強度強、不易斷刀；三是切割接觸面積大、阻力大、產生的碎屑多、進給速度慢、易污染。

2）刀片薄：一是切割接觸面積小、阻力小、進給速度快；二是刀片震動小、產品品質有保障；三是刀片強度弱、易斷刀。

1）刀片長：一是使用壽命長；二是刀片強度弱、進給速度慢、易斷刀；三是震動大、易發生偏擺、切割蛇形。

2）刀片短：一是使用壽命短；二是刀片強度強、進給速度快、不易斷刀；三是震動小、不易發生偏擺、品質好。

磨刀的目的一是為了使刀刃表面的金剛石暴露，二是修正刀片與輪轂、法蘭的偏心量。當新刀安裝在主軸和法蘭上，雖刀片與主軸頂部直接接觸，但兩者間依然是存在縫隙，這就是刀片的“偏心”，通過磨刀不僅能更好的暴露金剛石，還能修正刀片與刀架“同心”。如刀片在“偏心”的情況下使用，那刀片只有一部分刀片工作，負載過大，易造成逆刀與過載出現，影響產品品質。

       從上述幾點分析看出，選擇不同配方體系的刀片對產品的加工質量與效率有著較大影響。深圳西斯特科技有限公司集電鍍輪轂型硬刀、樹脂整體型軟刀、金屬整體型軟刀、電鍍整體型軟刀等一系列刀片設計、研發、生產、銷售、應用服務于一身，并能為客戶提供整體的磨削系統解決方案，可為業內廣大客戶群體提供生產所需刀片及技術支持。

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